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东芝和佳能联手开发3D闪存 2016年投入量产

  为了掌握大容量存储器新技术,增强与韩国三星等公司的竞争能力,日本东芝和佳能两家公司决定联合研发高性能3D闪存,力争在2016年投入量产。

  3D闪存是下一代闪存技术,相对于2D闪存技术,3D闪存把存储单元垂直叠加,可大幅提高存储器容量,但对制造工艺要求更高。2013年,三星推出一款128GB的3D闪存芯片,成为首家量产3D闪存的公司。

  据东芝公司官方网站披露,随着大数据时代到来,对能够存储大量数据的存储器的需求将急剧增加。为了在产业竞争中与韩国三星等公司抗衡,东芝决定与佳能公司合作,利用各自的技术优势联合研发。

  东芝生产3D闪存的新工厂预计将于2015年夏季竣工,计划从2016年开始批量生产3D闪存。

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