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骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

  如果说2016年是骁龙820全面普及和骁龙821缓缓而来的一年,那么2017很有可能就是骁龙835称霸的一年。去年11月,高通公司表示将要推出采用10nm制程工艺的骁龙835处理器,据悉这款产品相比前代旗舰在性能上有27%提升,但功耗却下降了40%,这里指的前代旗舰,很有可能就是指骁龙821。

  

骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

高通骁龙系列芯片

  外界猜测有关于这款处理器的消息最早将会与即将开始的CES展会上流出,不过现在外媒则提前曝光了骁龙835的规格。芯片核心方面,将采用八核心设计(4×2.45GHz大核、4×1.9GHz小核),大小核均为Kryo280架构,GPU为Adreno
540,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术,基于三星10nm
FinFET工艺打造。

  

骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

骁龙835

  此外,骁龙835将相比前辈们更好的支持于已经兴起的VR设备。而最为抢眼的充电方面,QuickCharge
4.0能实现充电五分钟,提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%,这一数据目前看来非常惊人。

  

骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

LG G6渲染图

  至于第一款搭载这颗芯片的智能手机会花落谁家,目前局势尚不清晰,外界猜测三星S8、LG G6以及小米6都有很大的可能成为这款处理器的首发产品。

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